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      1. FT-CZ1200Se

        8英寸半導體級單晶爐

        拉晶過程全程自動化

        在惰性氣體環境中,用石墨加熱器將硅材料熔化,

        用直拉法生長無位錯單晶的設備。

         

        性能優勢

        設備主體結構優化,提高了整機穩定性。

        具有拉制12英寸COP FREE半導體單晶硅棒的功能。

        采用新型隔離閥。

        液面高度監控系統。

        高精度傳動機構。

        雙層水冷套、可升降雙層水冷屏。

        8英寸半導體級單晶爐
        型號 FT-CZ1200Se
        場所 周圍溫度 15~30℃
        周圍濕度 ≤65%(無結露,腐蝕氣體)
        潔凈度 10000級凈空房
        噪音 ≤75db
        地基 3000kg/㎡以上
        電源 額定電壓 3P 380VAC±10%  50/60Hz
        額定電容 320kVA
        額定流量 500A
        冷卻水 流量范圍 350~400L/min
        供給壓力 0.3~0.4MPa
        重量 設備高度                                                                       <8290mm                                                            △     
        設備重量 約23T

         

         

        △ 項數據視上爐筒高度而定,本設備數據不含磁場。

        全國熱線

        021-36162928

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